描述；股票配资怎么找客户
MEM2317SG系列双P沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造，特别用于最小化导通电阻。该器件特别适用于低压应用和低功耗。
特征；
-20V/-6A
RDS(ON) =75mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A
RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A
高密度单元设计，超低导通电阻
表面贴装封装：SOP8
应用；
电源管理
负载开关
电池保护
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